邓胜良

（深圳市Ezpay科技检测技术股份有限公司，深圳宝安，518108）

摘要：直插式LED漏电，顺利获得切片分析、SEM、EMMI等测试，判断失效产生的直接原因为LED焊线工艺参数设置不当造成芯片表面钝化层损伤，形成导电路径；根本原因为LED封装工艺管控不良。

关键词：LED漏电；切片分析；EMMI；SEM

1.失效背景

客户反馈其产品上所使用的直插式LED灯珠在客户端测试过程中出现死灯和暗灯现象，经初步排查，失效灯珠存在漏电现象，具体表现为反向漏电偏大。

图1 样品外观

2.主要分析过程简述

在相同测试条件下（正向3V）测试正常样品和失效样品的半导体特性曲线，如图2所示，样品漏电现象得到确认；如图3所示，对失效样品进行镶样研磨，逐步去除样品的PCB，并测试灯珠的半导体特性曲线，结果未发生明显变化，该项测试证明失效与PCB板表面和内部状况（电迁移、离子残留等）无关，仅发生在灯珠部分；对失效样品进行开封，去除封装胶后，对LED芯片进行EMMI测试，测试结果显示：漏电芯片负电极绑定点附近出现比较明显的漏电发热点，SEM照片显示NG样品出现绑定点过大情况，焊点已经覆盖了芯片正负极间的绝缘沟道，采用化学试剂去除NG样品的焊点，芯片PN结与负极间的部分钝化保护层已经脱离，同时负极边缘位置出现了一定程度的损伤。

图2 I-V特性曲线

图3 切片分析

图4 EMMI+SEM

3.总结与结论

本案的失效现象为直插式LED漏电；失效产生的直接原因为LED焊线工艺参数设置不当造成芯片表面钝化层损伤，形成导电路径；根本原因为LED封装工艺管控不良。

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